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用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构及制备方法
摘要文本
一种用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构及其制备方法，在不改变终端面积的情况下，提高了对终端离子注入浓度误差的容忍范围；最大程度地避免了注入离子扩散对器件终端的影响，并减小了器件终端面积，提高了器件良品率。该复合终端结构包括：第一结终端扩展；第二结终端扩展；场限环；所述第一结终端扩展和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第一重合区域；以及所述场限环和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第二重合区域。。马-克-数据
申请人信息
- 申请人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区清河西小口路66号中关村东升科技园北领地B-1
- 发明人: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710551757.3 |
| 申请日 | 2017年7月7日 |
| 公告号 | CN107275391B |
| 公开日 | 2024年1月2日 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 发明人 | 张峰; 温正欣; 高怡瑞; 李昀佶; 申占伟; 陈彤 |
| 地址 | 北京市海淀区清河西小口路66号中关村东升科技园北领地B-1 |
专利主权项内容
1.一种用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其特征在于，包括：第一结终端扩展；第二结终端扩展；场限环；所述第一结终端扩展和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第一重合区域；以及所述场限环和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第二重合区域；所述第一结终端扩展的宽度比所述第二结终端扩展的宽度短，所述第一结终端扩展的深度比所述第二结终端扩展的深度深；所述场限环与所述第一结终端扩展同时形成，所述场限环与所述第一结终端扩展具有相同的掺杂浓度和深度；所述第一重合区域的宽度与所述第一结终端扩展的宽度相同，所述第一重合区域的掺杂浓度等于所述第一结终端扩展与所述第二结终端扩展的掺杂浓度之和；所述第二重合区域的宽度与所述场限环的宽度相同，所述第二重合区域的掺杂浓度等于所述第二结终端扩展与所述场限环的掺杂浓度之和。