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中压互感器内部均衡场强装置
摘要文本
本发明公开了中压互感器内部均衡场强装置，包括缠绕在一次绕组最外层的具有不同面电阻值的半导体皱纹纸，面电阻值小的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强高的区域，面电阻值大的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强低的区域，一次绕组和二次绕组之间填充主绝缘。本发明可使一次绕组和二次绕组之间的场强均衡化，降低了局部放电量，并保持了原有一次绕组和二次绕组的结构不变，不会降低中压互感器的参数。
申请人信息
- 申请人:厦门大一互科技有限公司
- 申请人地址:361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔明路19号
- 发明人: 厦门大一互科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 中压互感器内部均衡场强装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201510452886.8 |
| 申请日 | 2015年7月29日 |
| 公告号 | CN105023741B |
| 公开日 | 2024年4月23日 |
| IPC主分类号 | H01F38/20 |
| 权利人 | 厦门大一互科技有限公司 |
| 发明人 | 管清波; 王雨凡; 吴家旺; 吴雪锋; 朱清琦; 王少蔚; 沈显宝; 李静 |
| 地址 | 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔明路19号 |
专利主权项内容
1.中压互感器内部均衡场强装置，其特征在于：包括缠绕在一次绕组最外层的具有不同面电阻值的半导体皱纹纸，面电阻值小的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强高的区域，面电阻值大的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强低的区域，一次绕组和二次绕组之间填充有主绝缘；所述半导体皱纹纸包括第一半导体皱纹纸、第二半导体皱纹纸和第三半导体皱纹纸，一次绕组从二次绕组中间穿过，一次绕组上位于二次绕组的端部缠绕第一半导体皱纹纸，一次绕组上位于二次绕组的内部缠绕第二半导体皱纹纸，一次绕组上位于二次绕组的外侧由近至远分别缠绕第二半导体皱纹纸和第三半导体皱纹纸，第一半导体皱纹纸的面电阻值小于第二半导体皱纹纸，第二半导体皱纹纸的面电阻值小于第三半导体皱纹纸。