一种功率缓冲二极管芯片结构及其制作方法

专利主权项内容

1.一种功率缓冲二极管芯片结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠的下金属层、衬底、外延层，所述外延层上形成有深扩散区域，所述深扩散区域上形成有阱区，所述阱区上形成有浅层扩散区域，所述阱区上形成有沟道电阻区域，所述沟道电阻区域与深扩散区域和浅层扩散区域相连，所述外延层、阱区的导电类型与衬底的导电类型相同，所述浅层扩散区域、深扩散区域的导电类型与衬底的导电类型相反；所述浅层扩散区域上设置有功率缓冲二极管电极，所述浅层扩散区域与电阻区域的连接部上设置有介质层；所述深扩散区域和阱区的连接部上设置有上金属层；所述衬底和下金属层作为功率缓冲二极管的另一个电极；所述外延层包括多个依次层叠的外延层，所述外延层掺杂的导电杂质的浓度由上至下依次增加。