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一种静电保护电路以及集成电路芯片

申请号: CN201711041622.9
申请人: 长鑫存储技术有限公司
申请日期: 2017年10月30日

摘要文本

本发明涉及一种静电保护电路,应用于集成电路芯片,集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接,包括:第一保护电路,第一保护电路的信号输入端与所述静电放电输入端以及内部电路连接,第一保护电路的信号输出端与内部供电端连接。通过在焊盘端与内部供电端之间增加第一保护电路,ESD电流不通过焊盘端与内部电路之间的连线进入内部电路,而是通过第一保护电路导出,从而避免对内部电路中MOS器件的栅极氧化薄膜以及漏极/源极结构造成破坏,因此对内部电路中的PMOS管以及NMOS管的漏极/源极结构以及栅极氧化薄膜形成保护作用。实现了全面保护内部电路中栅氧化层不受静电放电损坏的技术效果。本发明还涉及一种集成电路芯片,具有上述效果。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种静电保护电路以及集成电路芯片
专利类型 发明授权
申请号 CN201711041622.9
申请日 2017年10月30日
公告号 CN107658856B
公开日 2024年3月26日
IPC主分类号 H02H9/02
权利人 长鑫存储技术有限公司
发明人 洪根刚
地址 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

专利主权项内容

1.一种静电保护电路,应用于集成电路芯片,所述集成电路芯片中的内部电路分别与焊盘端、内部供电端以及接地端连接,其特征在于,所述静电保护电路包括:第一保护电路,所述第一保护电路的第一信号输入端连接于所述焊盘端以及所述内部电路,所述第一保护电路的第一信号输出端连接于所述内部供电端;其中,设置在所述焊盘端与所述内部供电端之间的所述第一保护电路包括串联的多级第一保护模块,各级所述第一保护模块包括反向并接的两个第一支路,各所述第一支路包括一个或更多个同向导通的第一晶体管。 来自: