← 返回列表
一种高功率半导体激光器及其制备方法
摘要文本
一种高功率半导体激光器及其制备方法。该半导体激光器，包括底座、绝缘层和激光器模块；底座上设置有绝缘层；绝缘层上面设置有正电极、激光器模块和负电极，激光器模块包括至少一个激光器发光单元，激光器发光单元由激光器芯片及其两侧的过渡热沉构成，其中一侧的过渡热沉为带有台阶的L型过渡热沉。其制备方法包括以下步骤：(1)形成激光器发光单元；(2)将所需数量的激光器发光单元通过焊料进行连接，形成激光器模块；(3)将绝缘层、底座、正电极、负电极以及激光器模块键合成型。本发明增加了激光器发光单元与绝缘层的接触面积，便于键合，减少了键合空洞，键合牢固，同时增加了激光器单元正负电极的距离，减小了短路概率。 来自马-克-数-据
申请人信息
- 申请人:山东华光光电子股份有限公司
- 申请人地址:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号
- 发明人: 山东华光光电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高功率半导体激光器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710040685.6 |
| 申请日 | 2017年1月20日 |
| 公告号 | CN108336640B |
| 公开日 | 2024年2月9日 |
| IPC主分类号 | H01S5/022 |
| 权利人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 发明人 | 李沛旭; 孙素娟; 开北超; 夏伟; 徐现刚 |
| 地址 | 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |
专利主权项内容
1.一种高功率半导体激光器，包括底座、绝缘层和激光器模块；其特征是：底座上设置有绝缘层；绝缘层上面设置有正电极、激光器模块和负电极，激光器模块处于正电极和负电极之间，正电极和负电极分别与激光器模块连接；激光器模块包括至少一个激光器发光单元，各激光器发光单元在绝缘层上水平排列；激光器发光单元由激光器芯片及设置在激光器芯片两侧的过渡热沉构成，其中一侧的过渡热沉为带有台阶的L型过渡热沉，激光器芯片与另一过渡热沉置于L型过渡热沉的台阶之上，L型过渡热沉的底边宽度小于激光器发光单元的宽度。