导体纳米线的选择性形成

专利主权项内容

1.一种形成半导体器件的方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带；引入含金属气体以与来自所述芯轴带的非金属材料反应，所述含金属气体中所含的金属通过消耗所述芯轴带中的非金属被还原而在所述芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线，其中，在所述选择性地沉积期间，通过介电掩模来掩蔽所述芯轴带的顶面，所述金属线包括第一金属线、第二金属线和第三金属线，其中，所述第二金属线设置在所述第一金属线和所述第三金属线之间；去除所述芯轴层和所述介电掩模；用介电材料填充所述金属线之间的间隙；在所述介电材料中形成通孔开口，所述金属线的顶面暴露于所述通孔开口；以及用导电材料填充所述通孔开口以形成通孔，从而以与所述介电材料的下部中通过所述选择性沉积形成的所述金属线不同的方式，在整个所述介电材料中形成互连结构，其中，所述第一金属线包括第一倾斜侧壁以及与所述第一倾斜侧壁相对且平行的第二倾斜侧壁，所述第一倾斜侧壁和所述第二倾斜侧壁向相同的第一方向倾斜，其中，所述第二金属线包括第三倾斜侧壁以及与所述第三倾斜侧壁相对且平行的第四倾斜侧壁，所述第三倾斜侧壁和所述第四倾斜侧壁向相同的第二方向倾斜，并且所述相同的第二方向与所述相同的第一方向相反，其中，所述第三金属线包括第五倾斜侧壁以及与所述第五倾斜侧壁相对且平行的第六倾斜侧壁，其中，所述第一金属线与所述第二金属线是直接相邻的金属线，其中，所述第一金属线的第一倾斜侧壁和所述第二金属线的第三倾斜侧壁彼此相对，并且其中，所述第一倾斜侧壁的顶部与所述第三倾斜侧壁的顶部之间的第一距离小于所述第一倾斜侧壁的底部与所述第三倾斜侧壁的底部之间的第二距离，其中，所述第二金属线与所述第三金属线是直接相邻的金属线，其中，所述第二金属线的第四倾斜侧壁和所述第三金属线的第五倾斜侧壁彼此相对，并且其中，所述第四倾斜侧壁的顶部与所述第五倾斜侧壁的顶部之间的第三距离大于所述第四倾斜侧壁的底部与所述第五倾斜侧壁的底部之间的第四距离。 来自马-克-数-据