制造半导体器件的方法

专利主权项内容

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有凹槽和衬垫所述凹槽的介电层的工件，所述介电层具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分；在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，其中，所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分，其中，凹进的所述导电结构部分地填充所述凹槽；以及在凹进所述导电结构之后，使所述介电层凹进以去除所述介电层的所述第二部分和暴露的所述介电层的所述第一部分，其中，在凹进所述介电层之后，凹进的所述介电层的顶面设置在所述凹槽内部，凹进的所述介电层的顶面与在所述凹槽内形成的凹进的所述导电结构的顶面共面；在凹进所述介电层之后用绝缘层填充所述凹槽；利用对所述介电层和所述导电结构具有损耗的清洗剂对所述绝缘层和所述工件的顶面执行清洗工艺，其中，通过所述绝缘层使凹进的所述介电层和凹进的所述导电结构不与所述清洗工艺的所述清洗剂接触，且在所述清洗工艺之后，凹进的所述介电层的顶面与凹进的所述导电结构的顶面保持共面。