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低噪声放大器、射频集成电路、信号接收模块及射频收发芯片

申请号: CN201711241012.3
申请人: 建荣半导体(深圳)有限公司
申请日期: 2017年11月30日

摘要文本

本发明适用于信号放大电路领域,提供了一种低噪声放大器、射频集成电路、信号接收模块以及射频收发芯片,所述低噪声放大器包括信号放大模块,所述信号放大模块包括电容、第一电压源、第二电压源、第一放大器、第二放大器以及电阻负载,所述低噪声放大器还包括增益调节模块,所述增益调节模块包括第一开关、第二开关,所述射频集成电路包括所述低噪声放大器,所述信号接收模块也包括所述低噪声放大器,所述射频收发芯片包括所述信号接收模块。本发明的目的是将现有技术的放大器中的集成电感负载用电阻负载代替,从而可以减小放大器所占面积,同时也可以降低射频收发芯片的制作成本,以提高行业竞争力。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 低噪声放大器、射频集成电路、信号接收模块及射频收发芯片
专利类型 发明授权
申请号 CN201711241012.3
申请日 2017年11月30日
公告号 CN107809220B
公开日 2024年1月9日
IPC主分类号 H03F3/19
权利人 建荣半导体(深圳)有限公司
发明人 黄志敏; 鄧兆基
地址 广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区652

专利主权项内容

1.一种低噪声放大器,包括信号放大模块(1),所述信号放大模块(1)包括电容、第一电压源以及第二电压源,其特征在于,还包括第一放大器、第二放大器以及电阻负载,所述电容的第一端作为所述低噪声放大器的输入端,所述电容的第二端连接所述第一放大器的第一输入端,所述第一放大器的第二输入端连接所述第二放大器的第一输出端,所述第一放大器的第一输出端接地,所述第二放大器的第一输入端连接所述第一电压源,所述第二放大器的第二输入端连接所述电阻负载的第一端,所述电阻负载的第二端连接所述第二电压源,所述低噪声放大器的输出端设置于所述电阻负载与所述第二放大器的第二输入端之间;还包括增益调节模块(2),所述增益调节模块(2)包括第一开关、第二开关,所述增益调节模块(2)的第一信号传输端连接所述第一开关的第一端,所述第一开关的第二端连接所述第一电压源,所述增益调节模块(2)的第二信号传输端连接所述第二开关的第一端,所述第二开关的第二端接地,所述增益调节模块(2)的第三信号传输端连接所述第二电压源,所述增益调节模块(2)的第四信号传输端连接所述第一放大器的第二输入端;低噪声放大器还包括第三电压源以及电阻,所述第三电压源连接所述电阻的第一端,所述电阻的第二端连接所述电容的第二端。 该数据由<马克数据网>整理