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一种表面波等离子体发生装置及半导体工艺设备

申请号: CN202410115468.9
申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日期: 2016年3月3日

摘要文本

本发明提供一种表面波等离子体装置,利用连接腔连接谐振腔和矩形波导,将螺钉探针经由矩形波导和连接腔伸入谐振腔内部,从而将微波能量馈入连接腔和谐振腔,通过在谐振腔的底壁设置多个石英窗口,使得微波在谐振腔内形成的驻波的电场能够通过各石英窗口耦合进入真空腔室,并在真空腔室内激发等离子体;多个石英窗口可以等效为多个等离子体源,相对于现有的单一等离子体源来说,可以使真空腔室内等离子体大面积均匀化,从而满足大尺寸的晶片加工需求。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种表面波等离子体发生装置及半导体工艺设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202410115468.9
申请日 2016年3月3日
公告号 CN117794040A
公开日 2024年3月29日
IPC主分类号 H05H1/46
权利人 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人 昌锡江; 区琼荣; 韦刚; 黄亚辉
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

专利主权项内容

1.一种表面波等离子体发生装置,包括:用于产生微波的微波发生装置、微波传输匹配结构,所述微波传输匹配结构用于传输所述微波发生装置产生的微波,其特征在于,所述装置还包括:谐振腔和螺钉探针,所述微波传输匹配结构与所述谐振腔的顶部连通,所述螺钉探针依次贯穿所述微波传输匹配结构并伸入所述谐振腔的内部;所述谐振腔的底壁设置有多个石英窗口,且所述谐振腔的底壁用于与半导体工艺设备的真空腔室相连并密封。