绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备

专利主权项内容

1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括栅极结构、N型半导体衬底和第二介质层，其特征在于，在所述N型半导体衬底的一侧且沿远离所述N型半导体衬底的方向依次设置所述栅极结构和所述第二介质层；所述栅极结构包括多个平面栅单元和多个沟槽栅单元，其中：所述多个平面栅单元位于同一层面，所述多个沟槽栅单元位于所述多个平面栅单元的一侧，且与所述多个平面栅单元所在的层面相交；所述第二介质层具有通向所述栅极结构的第二接触孔；其中，所述多个沟槽栅单元与所述多个平面栅单元所在的层面正交，或所述多个沟槽栅单元与所述多个平面栅单元所在的层面呈小于90度的夹角；其中，所述多个沟槽栅单元呈阵列排布，所述平面栅单元将行相邻且列相邻的四个所述沟槽栅单元连接；在所述多个平面栅单元所在的层面上，沿指定方向的任意相邻的两排平面栅单元之间呈交错排布，以使所述多个沟槽栅单元和所述多个平面栅单元组成的所述栅极结构具有网状结构。