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探测面板及探测装置
摘要文本
一种探测面板及探测装置，该探测面板包括：碘化铯闪烁体层，其未掺杂铊；以及光电探测器，其设置于所述碘化铯闪烁体层的出光侧并且包括半导体层，所述半导体层的材料的禁带宽度大于或等于2.3eV。该探测面板可以降低探测面板的制作成本。
申请人信息
- 申请人:京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 发明人: 京东方科技集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 探测面板及探测装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201610639194.9 |
| 申请日 | 2016年8月5日 |
| 公告号 | CN107703533B |
| 公开日 | 2024年3月5日 |
| IPC主分类号 | G01T1/202 |
| 权利人 | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 发明人 | 王熙元; 田慧; 李延钊 |
| 地址 | 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |
专利主权项内容
1.一种探测面板，包括：碘化铯闪烁体层，其未掺杂铊；以及光电探测器，其设置于所述碘化铯闪烁体层的出光侧并且包括半导体层，其中，所述半导体层的材料的禁带宽度大于或等于2.3eV；所述半导体层的材料包括n型掺杂氧化锌半导体和p型掺杂氧化锌半导体；所述n型掺杂氧化锌半导体掺杂有B、Al、Ga、In、Sc、Y、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、V、Nb、Mo、F、Cl中的一种或几种；所述p型掺杂氧化锌半导体掺杂有Li、Na、K、Au、Ag、Cu、N、P、As、Sb中的一种或几种。