中子捕获治疗系统

专利主权项内容

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括用于产生带电粒子束的加速器、与带电粒子束发生反应产生中子射束的中子产生部以及射束整形体，所述射束整形体包括收容部、邻接于所述中子产生部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽、邻近于射束整形体的屏蔽装置和射束出口，所述收容部设有连接于加速器的真空管，所述中子产生部设于所述真空管的端部，所述真空管将经加速器加速后的带电粒子传输至所述中子产生部以使中子产生部与带电粒子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主轴，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量，所述真空管至少包括连接于所述加速器的第一真空管部、收容于所述射束整形体收容部并容纳有所述中子产生部的第二真空管部以及连接所述第一真空管部和所述第二真空管部的第三真空管部，所述中子产生部在第一位置和第二位置之间运动，所述屏蔽装置至少包括底壁以及连接于所述底壁且相对设置的第二侧壁和第四侧壁，所述底壁、第二侧壁和第四侧壁形成具有第一开口、第二开口以及第三开口的U型结构，所述第一开口邻近于所述第一真空管部，所述第二开口邻近于所述第二真空管部，所述第三真空管部穿过所述第三开口，所述屏蔽装置还包括与所述底壁相对设置的顶壁、连接所述底壁、顶壁的第一侧壁以及第三侧壁，所述第一侧壁和第三侧壁相对设置，所述底壁、顶壁以及四个侧壁形成屏蔽空间，在第一位置，所述中子产生部与带电粒子束发生反应以产生中子，在第二位置，所述中子产生部自射束整形体脱落并移动至所述屏蔽空间中，所述射束整形体和所述屏蔽装置使得所述中子产生部从第一位置运动到第二位置的过程中始终处于屏蔽中以防止从所述中子产生部泄露的辐射照射到工作人员。 （更多数据，详见马克数据网）