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一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

申请号: CN201710662275.5
申请人: 天合光能股份有限公司
申请日期: 2017年8月4日

摘要文本

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法,所述晶体硅太阳能电池包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极,所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧,所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域,其特征在于,所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层。本发明中钝化层以及重掺多晶硅层组成的功能性薄膜的强吸收特性不会影响目前结构的光学吸收,从而保证了载流子的收集效率,也避免了寄生吸收,实现了高电流和高开压的双重优势。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201710662275.5
申请日 2017年8月4日
公告号 CN107275432B
公开日 2024年2月2日
IPC主分类号 H01L31/068
权利人 天合光能股份有限公司
发明人 陈奕峰; 崔艳峰; 陈达明; 杨阳; 王子港; 刘成法; 盛赟; 皮尔·威灵顿; 冯志强; 皮亚同·皮·阿特玛特
地址 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利主权项内容

1.一种晶体硅太阳能电池,包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极,所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧,所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域,其特征在于,所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层,所述钝化层及重掺多晶硅层位于金属电极的正下方且与金属电极等面积;所述重掺多晶硅层与金属电极之间设置有富含氢元素的薄膜层。 来自马-克-数-据