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一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
摘要文本
数据由马 克 数 据整理 。本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。
申请人信息
- 申请人:江苏宏微科技股份有限公司
- 申请人地址:213000 江苏省常州市新北区华山中路18号
- 发明人: 江苏宏微科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711408786.0 |
| 申请日 | 2017年12月22日 |
| 公告号 | CN107942615B |
| 公开日 | 2024年3月22日 |
| IPC主分类号 | G03F1/50 |
| 权利人 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 发明人 | 井亚会; 戚丽娜; 俞义长; 张景超; 林茂; 刘利峰; 赵善麒 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区华山中路18号 |
专利主权项内容
1.一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距为0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um；第n列所述沟槽的顶端与第n+1列所述的沟槽的底端连接，第n+1列所述的沟槽的顶端连接第n+2列所述沟槽的中部，所述第n+2列的沟槽的顶端与第n+3列所述的沟槽的底端连接，第n+3列所述的沟槽的顶端连接第n+4列所述沟槽的中部，以此类推构成二维排布沟槽；所述沟槽的长度大于1.6um，且小于10um。