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基于石墨烯电极的光电效应的离子源

申请号: CN201711329749.0
申请人: 常州第六元素半导体有限公司
申请日期: 2017年12月13日

摘要文本

本发明提供一种基于石墨烯的光电发射电离源,包括电源、第一电极、石墨烯电极和光致发射装置,所述电源的正极与第一电极连接,所述电源的负极与石墨烯电极连接,所述光致发射装置对所述石墨烯电极进行照射;其中,所述石墨烯电极包括:支撑体,所述支撑体包括第一表面和第二表面;设置于支撑体第一表面的石墨烯结构层;所述石墨烯结构层与第一电极相向,并与第一电极之间留有样品通过的通道。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于石墨烯电极的光电效应的离子源
专利类型 发明授权
申请号 CN201711329749.0
申请日 2017年12月13日
公告号 CN108109892B
公开日 2024年3月29日
IPC主分类号 H01J27/20
权利人 常州第六元素半导体有限公司
发明人 王小蓓; 刘海滨; 谭化兵
地址 江苏省常州市西太湖科技产业园祥云路6号4号楼1楼

专利主权项内容

1.一种基于石墨烯的光电发射电离源,包括电源、第一电极、石墨烯电极和光致发射装置,所述电源的正极与第一电极连接,所述电源的负极与石墨烯电极连接,所述光致发射装置对所述石墨烯电极进行照射;其中,所述石墨烯电极包括:支撑体,所述支撑体包括第一表面和第二表面;设置于支撑体第一表面的石墨烯结构层;所述石墨烯结构层与第一电极相向,并与第一电极之间留有样品通过的通道;所述石墨烯结构层为纳米碳管和石墨薄膜的组合;所述支撑体的第一表面上设有纳米碳管层,所述纳米碳管层的表面转移一层或两层以上的CVD法制备的石墨烯薄膜;其中,所述第一电极为对电级,所述第一电极为平板状或栅网状;其中,所述光致发射装置采用紫外线发射装置。