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一种p-AlN/i-AlN/n-ZnO结构及其制备方法、应用
摘要文本
本发明公开了p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构，包括由下至上依次排列的衬底、p‑AlN层、i‑AlN层和n‑ZnO层；本发明还公开了上述p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构的制备及应用；本发明制备得到的p‑AlN/i‑AlN/n‑ZnO结构具有结构简单、光电性能好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。
申请人信息
- 申请人:江苏穿越光电科技有限公司
- 申请人地址:221000 江苏省徐州市睢宁县经济开发区精密制造园6号厂房
- 发明人: 江苏穿越光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种p-AlN/i-AlN/n-ZnO结构及其制备方法、应用 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710972250.5 |
| 申请日 | 2017年10月18日 |
| 公告号 | CN107644900B |
| 公开日 | 2024年1月2日 |
| IPC主分类号 | H01L29/15 |
| 权利人 | 江苏穿越光电科技有限公司 |
| 发明人 | 杨为家; 唐秀凤; 刘俊杰; 刘铭全; 赵志诚; 刘均炎; 何鑫; 曾庆光 |
| 地址 | 江苏省徐州市睢宁县经济开发区精密制造园6号厂房 |
专利主权项内容
1.一种p-AlN/i-AlN/n-ZnO结构，其特征在于，包括依次排列的p型AlN层、i型AlN层和n型ZnO层；其中，所述p型AlN层的掺杂元素包括Mg、Ti、C、Si中的至少一种；所述n型ZnO层的掺杂元素包括Al、Si、Cu、Ag中的至少一种；所述p型AlN层的厚度为150-3500nm；所述i-AlN层的厚度为2-30nm；所述n型ZnO层的厚度为150-500nm。