基于STM32F407IG的超级电容充电器
摘要文本
本发明公开了一种基于STM32F407IG的超级电容充电器，由电源、buck主电路、驱动电路、ARM、保护电路、放大电路、采样滤波电路组成。其中采用buck降压斩波电路，为一个直流电源输入，MOSFET、二极管D1、电感L1和电容C1构成的斩波电路。buck主电路和超级电容器相连，为其充电；驱动电路与buck主电路连接，构成斩波电路。ARM与超级电容通过保护电路连接，ARM与驱动电路连接，输出信号控制驱动电路；buck主电路通过与采用滤波电路连接来给ARM反馈信号，采样滤波电路和放大电路相连，放大电路和ARM相连。本发明采用以STM32F407IG为控制核心，实现PWM的输出，TLP521驱动MOSFET，能够简化硬件电路，并提高控制精度。。
申请人信息
- 申请人:哈尔滨工程北米科技有限公司
- 申请人地址:150009 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街258号船舶大厦1408室
- 发明人: 哈尔滨工程北米科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于STM32F407IG的超级电容充电器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201410469175.7 |
| 申请日 | 2014年9月16日 |
| 公告号 | CN104184198B |
| 公开日 | 2024年1月2日 |
| IPC主分类号 | H02J7/00 |
| 权利人 | 哈尔滨工程北米科技有限公司 |
| 发明人 | 李相武; 王瑛; 李忠喜 |
| 地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街258号船舶大厦1408室 |
专利主权项内容
1.基于STM32F407IG的超级电容充电器，其特征在于：由电源、buck主电路、驱动电路、ARM、保护电路、放大电路、采样滤波电路组成；其中采用buck降压斩波电路，MOSFET、二极管D1、电感L1和电容C1构成的buck主电路；buck主电路和超级电容器相连；驱动电路与buck主电路连接；ARM与超级电容通过保护电路连接，ARM与驱动电路连接，输出信号控制驱动电路；buck主电路通过与采样滤波电路连接来给ARM反馈信号，采样滤波电路和放大电路相连，放大电路和ARM相连，首先进行各个子程序和电流电压数据的初始化，并且设定系统的初始值；主要包括：头文件、常变量、函数声明、ADC、GPIO端口、定时器、DMA、PWM、中断向量表系统初始化；主程序中主要根据电压电流采样结果判断程序是进入恒流充电阶段还是恒压充电阶段，并在各自充电阶段调用电流或电压PI调节子程序，并产生PWM波的占空比，最后调用PWM子程序，产生PWM波，通过恒流恒压阶段的转换判断方法，以及在各自阶段内PI控制算法的设计和PI参数的计算，实现对超级电容器的双闭环充电以及对超级电容器先恒流后恒压两阶段安全可靠的充电。