电荷泵增压单元电路
摘要文本
本发明公开了一种电荷泵增压单元电路，包括五个信号端口：分别为电荷输入端口INi、电荷输出端口OUTi、时钟输入端口CLKi、使能信号端口ENi和接地端口GND，所述增压单元电路由2个PMOS晶体管PM1~PM2(20‑21)、1个NMOS晶体管NM1(22)和一个用于电荷存储及传输的电容C1(23)组成，本发明降低了电荷泵增压单元电路中电荷传输管的衬偏效应和电荷传输路径上的寄生电容，提高了电荷泵的电压增益和工作效率。 来自马克数据网
申请人信息
- 申请人:上扬无线射频科技扬州有限公司
- 申请人地址:225000 江苏省扬州市广陵经济开发区创业路20号(科技创业园内7栋)
- 发明人: 上扬无线射频科技扬州有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电荷泵增压单元电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711135627.8 |
| 申请日 | 2017年11月16日 |
| 公告号 | CN107733223B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H02M3/07 |
| 权利人 | 上扬无线射频科技扬州有限公司 |
| 发明人 | 冯鹏; 王开友; 吴南健; 李贵柯; 邓元明; 伯林 |
| 地址 | 江苏省扬州市广陵经济开发区创业路20号(科技创业园内7栋) |
专利主权项内容
来源：百度搜索马克数据网 。1.一种电荷泵增压单元电路，包括五个信号端口：分别为电荷输入端口IN、电荷输出端口OUT、时钟输入端口CLK、使能信号端口EN和接地端口GND，其特征在于：iiii所述增压单元电路由2个PMOS晶体管PM~PM(20-21)、1个NMOS晶体管NM(22)和一个用于电荷存储及传输的电容C(23)组成；1211增压单元电路内部的连接方式为：晶体管PM(20)源漏中的一端与电荷输入端口IN相连，电荷输入端口IN即第i-1级增压单元的电荷输出端口OUT>>>>i-1晶体管PM(20)源漏中的另一端与电荷输出端口OUT、晶体管PM(20)的栅极、晶体管PM(21)源漏中的一端以及电容C(23)的一端连接在一起，电荷输出端口OUT即第i+1级增压单元的电荷输入端口IN>>>>>>>i+1晶体管PM(21)源漏中的另一端与晶体管PM(21)的衬底及晶体管PM(21)的栅极、晶体管NM(22)的漏极和晶体管PM(20)的衬底连接在一起；>>>>>晶体管NM(22)的栅极与使能信号EN相连；>>晶体管NM(22)的源极和晶体管NM(22)的衬底以及接地端口GND连接在一起；>>电容C(23)的另一端与时钟输入端口CLK相连。>>