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电热膜及其制备方法

申请号: CN201711327579.2
申请人: 无锡格菲电子薄膜科技有限公司; 常州第六元素半导体有限公司
申请日期: 2017年12月13日

摘要文本

本发明公开了一种电热膜及其制备方法。其中电热膜包括导电层、设置于导电层上且相互配合的第一电极和第二电极,所述第一电极包括第一汇流条及沿第一汇流条延伸方向间隔设置的第一内电极,所述第二电极包括第二汇流条及沿第二汇流条延伸方向间隔设置的第二内电极,所述第一内电极和第二内电极相向延伸形成叉指结构,所述导电层设有若干传导缺陷区,所述传导缺陷区的导电层具有断流部。本发明的电热膜整体发热面发热温度更加均匀。 马 克 数 据 网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 电热膜及其制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201711327579.2
申请日 2017年12月13日
公告号 CN108135038B
公开日 2024年3月1日
IPC主分类号 H05B3/20
权利人 无锡格菲电子薄膜科技有限公司; 常州第六元素半导体有限公司
发明人 袁凯; 谭化兵; 王红福
地址 江苏省无锡市惠山经济开发区长安工业园标准厂房中惠路518-5号; 江苏省常州市西太湖科技产业园祥云路6号4号楼1楼

专利主权项内容

1.一种电热膜,包括导电层、设置于导电层上且相互配合的第一电极和第二电极,所述第一电极包括第一汇流条及沿第一汇流条延伸方向间隔设置的第一内电极,所述第二电极包括第二汇流条及沿第二汇流条延伸方向间隔设置的第二内电极,所述第一内电极和第二内电极相向延伸形成叉指结构,其特征在于,所述导电层设有若干传导缺陷区,所述传导缺陷区的导电层具有断流部;所述传导缺陷区位于相邻两个第一内电极之间并靠近第一汇流条设置,传导缺陷区向远离第一汇流条方向的延伸不超过相应两第一内电极之间的第二内电极的自由端,所述传导缺陷区位于相邻两个第二内电极之间并靠近第二汇流条设置,传导缺陷区向远离第二汇流条方向的延伸不超过相应两第二内电极之间的第一内电极的自由端;所述断流部采用在所述传导缺陷区内的导电层上设置N条切割线,N≥2,所形成的切割线的宽度均为0.1mm-0.2mm;所述切割线在所述传导缺陷区形成的在d1方向上的最大距离D1,和/或在d2方向上的最大距离D2符合以下条件:75%d1<D1<d1,和/或D2<d2,其中,d1为传导缺陷区所对应的汇流条所延伸出的两内电极之间的垂直距离,d2为传导缺陷区所对应的第一汇流条与其所对应的第二内电极自由端之间的距离。