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一种高效节能型P+N沟道驱动电路

申请号: CN201711478943.5
申请人: 英迪迈智能驱动技术无锡股份有限公司
申请日期: 2017年12月29日

摘要文本

本发明公开一种高效节能型P+N沟道驱动电路,包括上桥电路和下桥电路;所述上桥电路包括电阻R30、电阻R34、NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3;所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻R37、NPN型三极管Q16、PNP型三极管Q17、电阻R38、电阻R39、二极管D7、N沟道MOS管U6、电容CU1、电阻RU2。本发明在上桥电路开通时,将上桥电路电源端输出的上桥开通电压充到下桥电路使用,作为下桥电路的开通能量,高效节能。。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种高效节能型P+N沟道驱动电路
专利类型 发明授权
申请号 CN201711478943.5
申请日 2017年12月29日
公告号 CN107959491B
公开日 2024年3月19日
IPC主分类号 H03K17/567
权利人 英迪迈智能驱动技术无锡股份有限公司
发明人 娄晶; 谷建明; 芮宽
地址 江苏省无锡市无锡中关村软件园24-202

专利主权项内容

1.一种高效节能型P+N沟道驱动电路,其特征在于,包括上桥电路和下桥电路;所述上桥电路包括电阻R30、电阻R34、NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3;所述电阻R30的一端与电阻R34的一端、上桥PWM波输入端HU连接,电阻R30的另一端与NPN型三极管Q12的基极连接,电阻R34的另一端、NPN型三极管Q12的发射极接地,NPN型三极管Q12的集电极连接电阻R22的一端,电阻R22的另一端与电阻R16的一端、PNP型三极管Q8的基极、NPN型三极管Q5的基极连接,PNP型三极管Q8的集电极与二极管D4的正极连接,二极管D4的负极与电阻R27的一端连接,电阻R27的另一端作为下桥电路电源端与下桥电路连接,电阻R16的另一端与上桥电路电源端、NPN型三极管Q5的集电极、电阻R13的一端、电容C6的一端、P沟道MOS管U3的源极连接,电阻R13的另一端与PNP型三极管Q8的发射极、NPN型三极管Q5的发射极、电容C6的另一端、P沟道MOS管U3的栅极连接;所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻R37、NPN型三极管Q16、PNP型三极管Q17、电阻R38、电阻R39、二极管D7、N沟道MOS管U6、电容CU1、电阻RU2;所述电阻R43的一端接工作电源,另一端接下桥PWM波输入端LU、电阻R44的一端,电阻R44的另一端与NPN型三极管Q18的基极连接,NPN型三极管Q18的发射极接地,NPN型三极管Q18的集电极连接电阻R41的一端,电阻R41的另一端连接电阻R37的另一端、NPN型三极管Q16的基极、PNP型三极管Q17的基极,电阻R37的另一端与下桥电路电源端、NPN型三极管Q16的集电极连接,电阻R38的一端与NPN型三极管Q16的发射极、PNP型三极管Q17的发射极、电阻R39的一端连接,电阻R38的另一端与下桥驱动输入端LUO、二极管D7的正极连接,二极管D7的负极与电阻R39的另一端连接,N沟道MOS管U6的漏极与P沟道MOS管U3的漏极连接,N沟道MOS管U6的栅极与电阻RU2的一端、电容CU1的一端、下桥驱动输入端LUO连接,电阻RU2的另一端与电容CU1的另一端、N沟道MOS管U6的源极连接;所述PNP型三极管Q17的集电极接地。