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一种非易失性存储器的数据读取装置及方法

申请号: CN201610574359.9
申请人: 兆易创新科技集团股份有限公司
申请日期: 2016年7月19日

摘要文本

本发明公开了一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。该装置包括:读取比较器,用于根据接收到的读取请求,将存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,用于将存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录单元,用于根据读取结果和校验结果,在确定单元电压高于设定门限值时,确定存储单元为偏移存储单元,则记录偏移存储单元的偏移单元地址;读取纠正单元,用于如果接收到的读取请求命中偏移单元地址时,确定对偏移存储单元的读取结果为设定值,并抑制读取比较器的输出。本发明可减少非易失性存储器读操作中的误读,提高可靠性。。来自马-克-数-据-官网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种非易失性存储器的数据读取装置及方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201610574359.9
申请日 2016年7月19日
公告号 CN107633865B
公开日 2024年2月20日
IPC主分类号 G11C16/26
权利人 兆易创新科技集团股份有限公司
发明人 薛子恒; 刘奎伟; 潘荣华
地址 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利主权项内容

1.一种非易失性存储器的数据读取装置,其特征在于,包括:读取比较器,所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连,用于根据接收到的读取请求,将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连,用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录单元,与所述读取比较器和所述校验比较器相连,用于根据读取结果和校验结果,在确定单元电压高于设定门限值时,确定所述存储单元为偏移存储单元,则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址;其中,记录偏移单元地址为将偏移单元的地址写入当前读取存储器的任一指定长度的空闲存储单元中或写入任一指定的存储器中;读取纠正单元,与所述偏移地址记录单元相连,用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时,确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值,并抑制所述读取比较器的输出;其中,所述读取纠正单元,用于如果所述设定值为1,则将所述偏移存储单元的读取结果的输出端与所述设定值进行或运算,如果所述设定值为0,则将所述偏移存储单元的读取结果的输出端与所述设定值进行与运算。