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一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路

申请号: CN201710068407.1
申请人: 江苏博普电子科技有限责任公司
申请日期: 2017年2月8日

摘要文本

本发明公开了一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路,包括集成在封装管壳内的前级放大电路、后级放大电路和供电电路;前级放大电路包括GaN驱动功率放大器;后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路;GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源。在有限的管壳内部加入了两级放大电路,使得输出增益大大提高,针对C波段设计的内部偏置电路的加入有效节省了管壳外围PCB电路的铺设空间。另外,内部分压电路使得前后两级放大电路可以共用同一个栅极电压和同一个漏极电压,节省PCB空间。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路
专利类型 发明授权
申请号 CN201710068407.1
申请日 2017年2月8日
公告号 CN106603028B
公开日 2024年1月30日
IPC主分类号 H03F3/213
权利人 江苏博普电子科技有限责任公司
发明人 朱佳浩; 李贺; 沈美根; 陈强
地址 江苏省无锡市高浪路999号启航大厦11层

专利主权项内容

1.一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路,其特征是,包括集成在封装管壳内部对输入信号依次进行放大的前级放大电路和后级放大电路,还包括为前级放大电路和后级放大电路进行供电的供电电路;前级放大电路包括GaN驱动功率放大器;后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路;两级匹配电路的第一级T型匹配电路由串联电感和匹配电容串联,第二级为输入阻抗变换线和输出阻抗变换线;偏置电路包括设置在GaN芯片输入和输出端的四分之一波长线和与波长线并联的偏置电容;GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源;还包括一分压电路,使前、后级放大电路中的GaN驱动功率放大器和GaN芯片达到所需的阈值电压;输入信号经信号输入端输入GaN驱动功率放大器放大后,经过输入阻抗变换线、由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路,输入GaN芯片的栅极,再从GaN芯片漏极输出,依次经过由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路、输出阻抗变换线,最后传送到信号输出端。