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一种芯片的封装结构以及封装方法

申请号: CN201710448280.6
申请人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日期: 2017年6月14日

摘要文本

(来 自 马 克 数 据 网) 本发明公开了一种芯片封装结构以及封装方法,所述封装结构包括:待封装芯片,所述待封装芯片包括相对的第一表面以及第二表面;所述第一表面具有感应区第一焊垫,所述第一焊垫与所述感应区电耦合;覆盖所述待封装芯片的第一表面的加强层;设置在所述待封装芯片的第二表面的焊接凸起,所述焊接凸起与所述第一焊垫电连接,且用于与外部电路电连接。由于待封装芯片的第一表面增加加强层,在保护基板去除后进行切割时,能够避免待封装芯片的表面受到损伤以及污染,且所述加强层还可以增加待封装结构的强度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种芯片的封装结构以及封装方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201710448280.6
申请日 2017年6月14日
公告号 CN107093586B
公开日 2024年1月9日
IPC主分类号 H01L23/00
权利人 苏州晶方半导体科技股份有限公司
发明人 王之奇; 谢国梁; 胡汉青
地址 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号

专利主权项内容

1.一种芯片的封装结构,其特征在于,包括:待封装芯片,所述待封装芯片包括相对的第一表面以及第二表面;所述第一表面具有感应区以及第一焊垫,所述第一焊垫与所述感应区电耦合;覆盖所述待封装芯片的第一表面的加强层;设置在所述待封装芯片的第二表面的焊接凸起,所述焊接凸起与所述第一焊垫电连接,且用于与外部电路电连接;设置在所述待封装芯片背离所述加强层一侧的补强层,所述补强层位于所述封装结构的最外侧;所述补强层的机械强度大于所述待封装芯片的基片的强度;所述补强层用于在增加所述待封装芯片的减薄厚度后,补偿减薄后的机械强度。