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一种放射性工况下的激光去污装置

申请号: CN201710492865.8
申请人: 苏州热工研究院有限公司; 中国广核集团有限公司; 中国广核电力股份有限公司
申请日期: 2017年6月26日

摘要文本

本发明公开了一种放射性工况下的激光去污装置,所述激光去污装置包括壳体、设置于所述壳体内的清洗激光输出模块、设置在壳体上的抗辐射窗口及嵌置在所述抗辐射窗口中的抗辐射玻璃,所述清洗激光输出模块发射的清洗激光穿过所述抗辐射玻璃,进而到达待去污物体表面,所述抗辐射玻璃的外侧壁与抗辐射窗口上用于嵌置抗辐射玻璃的内侧壁完全接触,所述抗辐射窗口的内侧壁由导热金属材料制成。本发明的激光去污装置在增加换热面积的前提下进一步利用降温工具进行主动降温,另一方面,通过增大抗辐射玻璃的透光率,降低抗辐射窗口吸收的热量。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种放射性工况下的激光去污装置
专利类型 发明授权
申请号 CN201710492865.8
申请日 2017年6月26日
公告号 CN107134302B
公开日 2024年2月13日
IPC主分类号 G21F9/30
权利人 苏州热工研究院有限公司; 中国广核集团有限公司; 中国广核电力股份有限公司
发明人 魏少翀; 陈国星; 吴树辉; 季骅; 潘晨阳; 黄骞; 王博; 覃恩伟; 尹嵩; 叶林; 陆海峰
地址 江苏省苏州市西环路1788号; 广东省深圳市福田区深南大道2002号中广核大厦南楼33楼; 广东省深圳市福田区深南中路2002号中广核大厦南楼18层

专利主权项内容

1.一种放射性工况下的激光去污装置,其特征在于,包括壳体(1)、设置于所述壳体(1)内的清洗激光输出模块(2)、设置在壳体(1)上的抗辐射窗口及嵌置在所述抗辐射窗口中的抗辐射玻璃(3),所述抗辐射玻璃(3)上设置有增透膜,所述增透膜包括氦气喷涂膜层和连三甲苯保护层,以及交替设置在所述氦气喷涂膜层和所述连三甲苯保护层之间的至少两层五氧化三钛层和两层氧化钛硅层,所述氦气喷涂膜层设置在所述抗辐射玻璃(3)上;所述清洗激光输出模块(2)发射的清洗激光穿过所述抗辐射玻璃(3),进而到达待去污物体表面(4),所述抗辐射玻璃(3)的外侧壁与抗辐射窗口上用于嵌置抗辐射玻璃(3)的内侧壁完全接触,所述抗辐射窗口的内侧壁由导热金属材料制成;所述装置还包括降温单元,所述降温单元用于对所述抗辐射玻璃(3)进行降温。