上电复位电路

专利主权项内容

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，所述电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管都工作在亚阈值区，所述第一MOS晶体管的宽长比大于所述第二MOS晶体管的宽长比；电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；当电源电压低时，电流对中的两个电流都很小，流过电阻的电流也很小；上述两个MOS晶体管的栅极到源极电压相同，宽长比大的MOS晶体管将流过较大的电流；当电源电压升高时，流过MOS晶体管栅极之间电阻的电流增加，相应的，成比例的MOS晶体管对的栅极到源极电压差增加；在电源电压上升时，有较小宽长比的MOS晶体管有较大的栅极到源极电压，导致更快的电流增加速度；在期望的电压翻转点，有较小宽长比的MOS晶体管与有较大宽长比的晶体管流过相同电流，当电源电压上升到高于翻转点电压时，有较小宽长比的MOS晶体管流过更多的电流，电流比较电路输出产生一个上电复位信号；电流镜电路，用于处理产生的电流信号，所述电流镜电路包括：第一MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和第三MOS晶体管镜像连接，所述第四MOS晶体管和所述第五MOS晶体管镜像连接；电流比较电路，用于产生上电复位信号。