一种磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器

专利主权项内容

1.一种磁滞激光编程的单切片TMR开关传感器，其特征在于，包括：磁滞开关传感器，所述磁滞开关传感器包括：衬底，位于所述衬底上的一个或者多个磁电阻传感臂，所述磁电阻传感臂为一个或多个磁电阻传感单元串之间通过串联、并联或者串并联而成的两端口结构，所述磁电阻传感单元串包括一个或多个串联磁电阻传感单元，所述磁电阻传感单元为TMR传感单元，包括：钝化层、上电极层、自由层、中间绝缘层、参考层、反铁磁层和种子层，所述种子层和反铁磁层构成下电极层，所述自由层的磁化方向、磁场敏感方向和所述参考层的磁化方向均沿着N方向或者S方向，所述自由层的磁化强度仅由各向异性场Hk决定时，形成双极型磁滞开关传感器，或者由各向异性场Hk和偏置场Hb共同决定，且所述偏置场Hb的方向也沿着N或者S方向，则形成S或N单极型磁滞开关传感器、或者全极型磁滞开关传感器，所述反铁磁层磁化方向均为采用激光编程工艺写入；与所述磁滞开关传感器相连接的ASIC电路，所述ASIC电路包括偏置功能模块、阅读功能模块和输出功能模块，所述偏置功能模块连接所述磁滞开关传感器、所述阅读功能模块和所述输出功能模块的电源端，所述阅读功能模块连接所述磁滞开关传感器的信号输出端，所述输出功能模块连接所述阅读功能模块；所述自由层的偏置磁场Hb通过与所述自由层耦合的第二反铁磁层来作用，或者通过永磁层来作用；所述自由层的磁场偏置采用第二反铁磁层时，所述磁滞开关传感器所对应的激光编程工艺写入操作分两部进行，第一步，对所述参考层对应的反铁磁层进行磁化方向写入操作，第二步，对所述自由层对应的第二反铁磁层进行磁化方向写入操作，且第二步的写入操作温度低于第一步的写入操作温度，所述写入操作温度分别对应所述反铁磁层的阻塞温度；所述磁滞开关传感器的操作磁场为开关上升电压幅值的60~80%，回复磁场为开关下降电压幅值的60~80%。