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一种晶体外延结构及生长方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
申请人信息
- 申请人:苏州矩阵光电有限公司
- 申请人地址:215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋
- 发明人: 苏州矩阵光电有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶体外延结构及生长方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711294749.1 |
| 申请日 | 2017年12月8日 |
| 公告号 | CN107845695B |
| 公开日 | 2024年1月16日 |
| IPC主分类号 | H01L31/0352 |
| 权利人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 发明人 | 颜建; 黄勇; 胡双元; 帕勒布·巴特查亚; 和田修 |
| 地址 | 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋 |
专利主权项内容
1.一种晶体外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底(1)的第一表面(11)上依次形成缓冲层(5)和腐蚀剥离层(6)，所述腐蚀剥离层(6)适于通过腐蚀工艺去除以分离位于所述腐蚀剥离层(6)两侧的结构层；在所述腐蚀剥离层(6)上形成晶格匹配层(2)，所述晶格匹配层(2)包括第一子电池层(21)、第一隧穿结(22)、第二子电池层(23)以及第二隧穿结(24)；在所述衬底(1)的第二表面(12)形成第一晶格失配层(3)；在所述晶格匹配层(2)上形成第二晶格失配层(4)，所述第二晶格失配层(4)包括晶格过渡层(41)和晶格失配功能层(42)；所述第一晶格失配层(3)、所述衬底(1)以及所述第二晶格失配层(4)的晶格常数单调递增或单调递减。 来源：百度马 克 数据网