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IO命令处理方法与介质接口控制器

申请号: CN201611106674.5
申请人: 北京忆恒创源科技股份有限公司
申请日期: 2016年12月5日

摘要文本

本申请提供了IO命令处理方法、介质接口控制器。所公开的方法包括:若低优先级命令队列中存在访问第一逻辑单元的第一类型的第一命令,取出并处理第一命令;当处理第一命令的过程中,若高优先级命令队列中存在访问第一逻辑单元的第二类型的第二命令,暂停对第一命令的处理,取出并处理第二命令;响应于第二命令处理完成,恢复对第一命令的处理。所述介质接口控制器耦合到一个或多个NVM芯片,每个NVM芯片包括一个或多个逻辑单元,还耦合到高优先级命令队列和低优先级命令队列,用于执行所述的IO命令处理方法。本申请应用于固态存储设备的读取操作。 (来自 马克数据网)

专利详细信息

项目 内容
专利名称 IO命令处理方法与介质接口控制器
专利类型 发明授权
申请号 CN201611106674.5
申请日 2016年12月5日
公告号 CN108153582B
公开日 2024年1月26日
IPC主分类号 G06F9/48
权利人 北京忆恒创源科技股份有限公司
发明人 王树珂; 徐凯; 孙明浩
地址 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室

专利主权项内容

1.一种IO命令处理方法,其中从高优先级命令队列或低优先级命令队列中获取待处理的IO命令,以及相对于低优先级命令队列优先处理高优先级命令队列中的IO命令,其特征在于,包括:若低优先级命令队列中存在访问第一逻辑单元的第一类型的第一命令,取出并处理第一命令;当处理第一命令的过程中,若高优先级命令队列中存在访问第一逻辑单元的第二类型的第二命令,暂停对第一命令的处理,取出并处理第二命令;响应于第二命令处理完成,恢复对第一命令的处理;其中,第一类型的第一命令是编程命令或擦除命令,第二类型的第二命令是读命令;其中至少一个第一逻辑单元内的至少一个物理块构成第一页条带,缓存存储用于第一页条带的校验数据,所述IO命令处理方法还包括:响应于从低优先级命令队列中取出并处理第一命令,将第一命令对应的数据同缓存所存储的数据进行异或,异或结果存储在缓存中;将缓存的校验数据存储至DRAM;以及释放该缓存;或若缓存中存储了第一页条带中至少一个页用户数据的异或结果;将缓存的校验数据写入第一页条带;以及释放该缓存;所述方法还包括:若缓存中存储了第一页条带中N页用户数据的异或结果,将缓存的校验数据发送给页条带的P个物理页所对应的逻辑单元;将缓存中的数据存储至DRAM;以及释放该缓存;若向P个物理页之一写入校验数据出错,从DRAM中将与第一页条带相关联的校验数据存储到缓存。 (来 自 马 克 数 据 网)