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p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法
摘要文本
一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在保护层(32)的保护下对p型半导体(31)进行退火。这样，在后续对p型半导体(31)进行高温退火处理的过程中，保护层(32)能够保护p型半导体(31)免于挥发、形成高质量的表面形貌。
申请人信息
- 申请人:苏州晶湛半导体有限公司
- 申请人地址:215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
- 发明人: 苏州晶湛半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201780094095.X |
| 申请日 | 2017年8月25日 |
| 公告号 | CN111033752B |
| 公开日 | 2024年2月9日 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 发明人 | 程凯 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 |
专利主权项内容
1.一种增强型器件，其特征在于，包括：衬底；沟道层，设于所述衬底上；势垒层，设于所述沟道层上；p型半导体，设于所述势垒层上；薄膜层，设于所述势垒层和所述p型半导体之间，其中所述薄膜层为n型半导体层；以及保护层，设于所述p型半导体上，其中所述保护层为AlN或AlGaN。