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硅异质结太阳电池及其制备方法
摘要文本
本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
申请人信息
- 申请人:国家电投集团新能源科技有限公司
- 申请人地址:330096 江西省南昌市高新技术产业开发区瑶湖西大道光电产业园1号楼
- 发明人: 国家电投集团新能源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅异质结太阳电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710457372.0 |
| 申请日 | 2017年6月16日 |
| 公告号 | CN108987488B |
| 公开日 | 2024年1月30日 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 国家电投集团新能源科技有限公司 |
| 发明人 | 王伟; 田宏波; 赵晓霞; 王恩宇; 宗军; 李洋; 杨瑞鹏; 周永谋 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区瑶湖西大道光电产业园1号楼 |
专利主权项内容
1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的上表面；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层设置在所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面；第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层设置在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的上表面；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的下表面；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层设置在所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面；第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层设置在所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面；多个金属栅线电极层，所述多个金属栅线电极层间隔设置在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面；所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层分别独立地包括选自掺铝氧化锌、掺硼氧化锌、掺镓氧化锌、掺镓铝氧化锌、掺氟氧化锡、掺锡氧化铟、掺钨氧化铟和掺钛氧化铟中的至少之一。。搜索马 克 数 据 网