← 返回列表
一种超声传感器压电陶瓷晶片的耐压抗冻结构及方法
摘要文本
本发明涉及一种超声传感器压电陶瓷晶片的耐压抗冻结构及方法，属于声学、传感器技术领域。技术方案是：传感器外壳或晶片保护套上设有减压结构(4)，所述减压结构(4)，改变传感器外壳或晶片保护套与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围的平整形态，释放传感器外壳或晶片保护套的变形应力，减小传感器外壳或晶片保护套与压电陶瓷晶片(2)接触部位的变形，保互压电陶瓷晶片(2)不被损坏。本发明的有益效果：具有结构简单合理、耐压力高抗、防冻性能强、拆装方便等特点，特别适合应用在管道内被测介质为高压情况和易发生冰冻损坏被测仪表的流量测量工况，尤其是适合用于防冻水表测量中。
申请人信息
- 申请人:汇中仪表股份有限公司
- 申请人地址:063020 河北省唐山市高新技术产业开发区高新西道126号
- 发明人: 汇中仪表股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种超声传感器压电陶瓷晶片的耐压抗冻结构及方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710556499.8 |
| 申请日 | 2017年7月10日 |
| 公告号 | CN107402050B |
| 公开日 | 2024年1月12日 |
| IPC主分类号 | G01F1/667 |
| 权利人 | 汇中仪表股份有限公司 |
| 发明人 | 张力新 |
| 地址 | 河北省唐山市高新技术产业开发区高新西道126号 |
专利主权项内容
1.一种超声传感器压电陶瓷晶片的耐压抗冻结构，包含传感器外壳(1)和压电陶瓷晶片(2)，压电陶瓷晶片设置在传感器外壳内；其特征在于：传感器外壳上设有减压结构(4)，所述减压结构(4)，位于传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触的部位及其周围，传感器外壳与减压结构(4)形成一个整体结构；所述减压结构(4)，改变传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围的平整形态；所述减压结构为两个，两个减压结构对压电陶瓷晶片(2)进行双重保护；一个减压结构为环状减压结构，在传感器外壳与压电陶瓷晶片(2)接触部位周围设置环状沟槽，环状沟槽的内径大于或等于压电陶瓷晶片外径；另一个减压结构为凸台减压结构，在传感器外壳与压电陶瓷晶片接触部位周围设置阶梯状凸台，阶梯状凸台的外径大于或等于压电陶瓷晶片外径。