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一种硅基探测器及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种硅基探测器及其制备方法, 涉及光探测器技术领域; 包括衬底、欧姆接触层和吸收层；吸收层在欧姆接触层上并形成一级凸形台面，欧姆接触层在衬底上并形成二级凸形台面；吸收层上设有欧姆接触部；欧姆接触部和一级凸形台面上都设有欧姆接触电极；衬底、欧姆接触层和吸收层所形成的台面结构上有增透膜；衬底上设有与欧姆接触电极相连的压焊点；衬底背面设有光反射部，衬底背面设有反射膜; 探测器响应范围覆盖紫外至近红外波段，并在紫外和近红外这两个波段响应增强，且探测器性能得到优化。
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址:050051 河北省石家庄市合作路113号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅基探测器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710375429.2 |
| 申请日 | 2017年5月24日 |
| 公告号 | CN107154447B |
| 公开日 | 2024年1月30日 |
| IPC主分类号 | H01L31/101 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 发明人 | 尹顺政; 赵润; 安文 |
| 地址 | 河北省石家庄市合作路113号 |
专利主权项内容
1.一种硅基探测器，其特征在于：包括衬底(1)、欧姆接触层(2)和吸收层(3)；所述吸收层(3)在欧姆接触层(2)上并形成一级凸形台面(4)，欧姆接触层(2)在衬底(1)上并形成二级凸形台面(5)；所述吸收层(3)上设有欧姆接触部；所述欧姆接触部和一级凸形台面(4)上都设有欧姆接触电极(6)；所述衬底(1)、欧姆接触层(2)和吸收层(3)所形成的台面结构上有增透膜(10)；所述衬底(1)上设有与欧姆接触电极(6)相连的压焊点(7)；所述衬底(1)背面设有光反射部(8)；其中，所述光反射部(8)为锯齿状、凸出的小点或者为凸出的梯形台面，所述衬底(1)背面设有反射膜，所述增透膜(10)和反射膜为氮化硅和二氧化硅形成的双层介质，所述吸收层(3)为非掺杂硅本征吸收层。