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非对称波导980nm单模激光器
摘要文本
本发明公开了一种非对称波导980nm单模激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括衬底以及衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、腐蚀停止层、第二上限制层和电极接触层，所述腐蚀停止层采用高掺杂的P型GaInP材料。所述单模激光器在对称结构的基础上采用AlGaAs的非对称波导，并在结构中插入腐蚀阻挡层，能够有效地防止载流子泄漏，提高输出功率，保证了高的电光转换效率等器件性能。
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址:050051 河北省石家庄市合作路113号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 非对称波导980nm单模激光器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710401344.7 |
| 申请日 | 2017年5月31日 |
| 公告号 | CN107147005B |
| 公开日 | 2024年1月30日 |
| IPC主分类号 | H01S5/20 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 发明人 | 王彦照; 宁吉丰; 陈宏泰; 车相辉; 王晶 |
| 地址 | 河北省石家庄市合作路113号 |
专利主权项内容
1.一种非对称波导980nm单模激光器，其特征在于：包括衬底(1)以及衬底(1)上从下至上依次生长的缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、量子阱层(5)、上波导层(6)、第一上限制层(7)、腐蚀停止层(8)、第二上限制层(9)和电极接触层(10)，所述腐蚀停止层(8)采用高掺杂的P型GaInP材料；所述第二上限制层(9)形成于腐蚀停止层(8)的上表面，使用高掺杂的P型铝镓砷材料制作；所述下波导层(4)制作与下限制层(3)的上表面，采用非掺杂的N型铝镓砷材料制作；所述上波导层(6)形成于所述量子阱层(5)的上表面，使用非掺杂的P型铝镓砷材料制作，杂质浓度小于10/cm，厚度为0.4μm～1μm；153所述下波导层(4)和所述上波导层(6)为非对称波导。