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半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm‑2和2000cm2/Vs。。 （更多数据，详见马克数据网）
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址:050051 河北省石家庄市合作路113号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710948671.4 |
| 申请日 | 2017年10月12日 |
| 公告号 | CN107731916B |
| 公开日 | 2024年2月13日 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 发明人 | 王晶晶; 冯志红; 蔚翠; 周闯杰; 刘庆彬; 何泽召 |
| 地址 | 河北省石家庄市合作路113号 |
专利主权项内容
1.一种利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，其特征在于包括如下步骤：在衬底(1)上形成高阻金刚石层(2)；在所述高阻金刚石层(2)的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层(3)，在所述金刚石层(2)与第一施主层(3)的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气(4)，利用二维电子气作为n型导电沟道；在所述第一施主层(3)的上表面沉积具有施主特性的二元化合物或者单质形成第二补偿施主层(5)，为所述缓变异质结中的第一施主层(3)提供补偿电子；所述有施主特性且组分缓变的三元化合物包括：MgGaN、SiBN、MgAlN、FeAlN、MgGaO、FeAlO、ZnAlO、ZnMgO、MgGaF、FeAlF、ZnAlF或ZnMgF，其中上述三元化合物的化学式中，从左到右为第一至第三种元素，使用第一种元素替代部分第二种元素，使第一种元素的组分逐渐减少，而第二种元素的组分逐渐增加，上述三元化合物中x+y＝a，a为一定值，a和z的值分别与三元化合物中第二种元素以及第三种元素的化合价有关。xyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyz