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一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置
摘要文本
本发明提供一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置，属晶片抛光技术领域，采用的技术方案是一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板，包括定位在抛光头上的陶瓷盘，陶瓷盘盘面上开设有凹槽，凹槽内定位有真空吸盘, 所述真空吸盘周向边沿向下延伸形成帽檐结构，真空吸盘内表面设有沟道并借助贯穿陶瓷盘的真空孔与真空发生结构连接形成对晶片真空吸附定位。有益效果是省去了粘蜡、除蜡等工艺环节，缩短了加工时间，避免了污染；帽檐结构对晶片有防划伤的保护作用，更适用于Si、Ge、GaAs、InP等需要挥发性元素形成的、硬度较低的半导体晶片的抛光；对晶片有稳定的定位保持作用，提高了成品率和厚度均匀性；降低了生产成本。 微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址:050000 河北省石家庄市合作路113号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711328463.0 |
| 申请日 | 2017年12月13日 |
| 公告号 | CN108356684B |
| 公开日 | 2024年2月6日 |
| IPC主分类号 | B24B29/02 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 发明人 | 王阳; 孙聂枫; 孙同年 |
| 地址 | 河北省石家庄市合作路113号 |
专利主权项内容
1.一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板，包括定位在抛光头(4)上的陶瓷盘(1)，其特征在于，所述陶瓷盘(1)盘面上开设有凹槽，凹槽内定位有真空吸盘(2), 所述真空吸盘(2)周向边沿向下延伸形成帽檐(2-1)结构，真空吸盘(2)内表面设有沟道(2-2)并借助贯穿陶瓷盘(1)的真空孔(1-1)与真空发生结构连接形成对晶片(3)真空吸附定位；所述真空吸盘(2)的剖面为“ㄇ”形；所述沟道(2-2)对称设置形成扇形；所述真空吸盘(2)外轮廓厚度与陶瓷盘(1)上凹槽的深度一致；内轮廓厚度与晶片(3)单面抛光后要求达到的厚度一致。