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一种快恢复功率二极管及其制造方法
摘要文本
本发明提供一种快恢复功率二极管及其制造方法。该快恢复功率二极管的制造方法包括注入工艺、扩散工艺、硅片减薄工艺、沟槽腐蚀工艺、电泳及烧结工艺。本发明通过上述的制造方法，可以实现高效率且低成本的快恢复功率二极管。 马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:吉林瑞能半导体有限公司
- 申请人地址:132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
- 发明人: 吉林瑞能半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种快恢复功率二极管及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201611033040.1 |
| 申请日 | 2016年11月18日 |
| 公告号 | CN106571402B |
| 公开日 | 2024年3月29日 |
| IPC主分类号 | H01L29/868 |
| 权利人 | 吉林瑞能半导体有限公司 |
| 发明人 | 李洪军; 邵枫 |
| 地址 | 吉林省吉林市高新区深圳街99号 |
专利主权项内容
1.一种快恢复功率二极管的制造方法，包括：注入工艺，向硅片衬底注入掺杂源；扩散工艺，通过扩散，在硅片衬底上形成外延层，所述外延层具备PN结和氧化层；硅片减薄工艺，将硅片减薄到厚度为350～375μm；沟槽腐蚀工艺，在硅片表面腐蚀出45～55μm深度的沟槽，所述沟槽位于所述硅片衬底的上方、且所述外延层的内部，并且所述沟槽的厚度超过所述PN结的厚度；以及电泳及烧结工艺，在所述沟槽内形成钝化层，其中，在所述注入工艺之后所述沟槽腐蚀工艺之前实施所述硅片减薄工艺。