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一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器及光量子偏振态控制模块
摘要文本
本发明公开了一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器及光量子偏振态控制模块，在保持了现有技术的铌酸锂电光偏振控制器的高响应速率的同时，降低了铌酸锂电光偏振控制器的驱动电压和器件插入损耗，减小了器件尺寸，提升了器件工作性能的稳定性。为进一步地减小量子密钥分发系统接收端的光量子偏振态控制模块的损耗和体积，本发明提出了一种集成有铌酸锂电光偏振控制器和偏振分束器的光量子偏振态控制模块，为推动量子保密通信技术向低建设成本、高通信速率、长传输距离发展提供有力的支撑。。微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:天津领芯科技发展有限公司
- 申请人地址:300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016)
- 发明人: 天津领芯科技发展有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器及光量子偏振态控制模块 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201611043045.2 |
| 申请日 | 2016年11月24日 |
| 公告号 | CN108107607B |
| 公开日 | 2024年1月16日 |
| IPC主分类号 | G02F1/01 |
| 权利人 | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 发明人 | 李萍; 范宝泉; 史云玲 |
| 地址 | 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016) |
专利主权项内容
1.一种低损耗低驱动电压的高速偏振控制器，其特征在于，包括：基底晶片(5)、下粘接层(6)、铌酸锂单晶薄膜(7)、直条型光学波导(3-1)、下层金属电极(8)、上层金属电极(9)，所述基底晶片(5)为光学级、双面抛光的铌酸锂或石英晶片，其厚度为0.1mm至2mm；所述下粘接层(6)为二氧化硅薄膜，位于基底晶片(5)与铌酸锂单晶薄膜(7)之间，厚度为0.1μm至5μm；所述铌酸锂单晶薄膜(7)具有单晶结构，切向为X切Z传或Y切Z传，厚度为0.1μm至10μm；所述直条型光学波导(3-1)为钛扩散波导，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm；所述下层金属电极(8)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的正下方、掩埋于下粘接层(6)中；所述上层金属电极(9)为金或铝薄膜电极，金属薄膜厚度为0.1μm至30μm，位于直条型光学波导(3-1)的上方并分置于直条型光学波导(3-1)的左右两侧，形成共面电极结构。