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一种高信噪比传感器及麦克风

申请号: CN201510325461.0
申请人: 钰太芯微电子科技(上海)有限公司; 钰太科技股份有限公司
申请日期: 2015年6月12日

摘要文本

本发明涉及一种硅麦克风的技术领域,尤其涉及一种高信噪比传感器及麦克风。包括立柱;硅基背极板,固定设置与立柱的顶端;声学振膜,与硅基背极板间隔一预定间距,声学振膜边缘通过一连接装置固定连接硅基背极板;其中,硅基背极板、声学振膜结合硅基背极板与声学振膜之间的气隙形成传感器的电容结构。将声学振膜通过一连接装置连接硅基背极板,连接装置对声学振膜施加的拉力为倾斜拉力,大大降低了声学振膜的水平方向的侧向应力。在声压推动声学振膜发生形变时,声压可以推动整张声学振膜发生振动,即全膜振动,整个声学振膜发生振动,电容的容值变化范围较大,即采集声音范围增大,同时也增强了采集声音信号的信噪比。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种高信噪比传感器及麦克风
专利类型 发明授权
申请号 CN201510325461.0
申请日 2015年6月12日
公告号 CN106303868B
公开日 2024年1月16日
IPC主分类号 H04R19/04
权利人 钰太芯微电子科技(上海)有限公司; 钰太科技股份有限公司
发明人 叶菁华
地址 上海市浦东新区张江高科技园区毕升路299弄6号601B室;

专利主权项内容

1.一种高信噪比传感器,应用于麦克风装置,其特征在于,包括立柱;硅基背极板,固定设置于所述立柱的顶端;声学振膜,与所述硅基背极板间隔一预定间距,所述声学振膜边缘通过一连接装置固定连接所述硅基背极板;其中,所述硅基背极板、所述声学振膜结合所述硅基背极板与所述声学振膜之间的气隙形成所述传感器的电容结构;所述连接装置为刚性链式连接装置;所述声学振膜边缘通过所述连接装置按照一预定倾斜角度连接所述硅基背极板。