一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件及其制造方法
摘要文本
本发明公开了一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一有源层、电荷收集槽、轻掺杂第一导电类型第二有源层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电类型源区、栅介质层、多晶硅栅介质层、ILD介质层、接触金属层、金属层和钝化介质层。电荷收集槽位于颈区之下，收集槽边沿存在硅/二氧化硅界面，可以复合很大一部分重粒子辐射产生的电子‑空穴对，降低栅氧化层中的峰值电场；具有实现简单、导通电阻低、抗SEGR能力强的优点，可以广泛用于抗辐射加固功率VDMOS器件的设计及制造领域。
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址:400060 重庆市南岸区花园路14号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710299718.9 |
| 申请日 | 2017年5月2日 |
| 公告号 | CN107946359B |
| 公开日 | 2024年2月6日 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 发明人 | 唐昭焕; 杨永晖; 肖添; 谭开洲 |
| 地址 | 重庆市南岸区花园路14号 |
专利主权项内容
1.一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件，其特征在于，包括漏极金属层(101)、重掺杂第一导电类型衬底材料(201)、轻掺杂第一导电类型第一有源层(301)、电荷收集槽(302)、轻掺杂第一导电类型第二有源层(401)、第二导电类型阱区(402)、重掺杂第一导电类型源区(403)、栅介质层(404)、多晶硅栅介质层(405)、ILD介质层(406)、接触金属层(407)、金属层(408)和钝化介质层(409)；所述重掺杂第一导电类型衬底材料(201)覆盖于漏极金属层(101)之上；所述轻掺杂第一导电类型第一有源层(301)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底材料(201)之上；所述电荷收集槽(302)嵌入轻掺杂第一导电类型第一有源层(301)内部；所述电荷收集槽(302)的上表面与轻掺杂第一导电类型第一有源层(301)的部分上表面共面；所述电荷收集槽(302)内部填充有绝缘介质，绝缘介质包括二氧化硅和未掺杂多晶硅；所述轻掺杂第一导电类型第二有源层(401)覆盖于轻掺杂第一导电类型第一有源层(301)和电荷收集槽(302)之上；所述第二导电类型阱区(402)位于轻掺杂第一导电类型第二有源层(401)的内部；所述第二导电类型阱区(402)的上表面与轻掺杂第一导电类型第二有源层(401)的部分上表面共面；所述重掺杂第一导电类型源区(403)位于第二导电类型阱区(402)的内部；所述重掺杂第一导电类型源区(403)的上表面与第二导电类型阱区(402)的部分上表面共面；所述重掺杂第一导电类型源区(403)的深度小于第二导电类型阱区(402)的深度；所述第二导电类型阱区(402)内部的重掺杂第一导电类型源区(403)之间的上表面和重掺杂第一导电类型源区(403)的部分上表面，从下到上依次覆盖有接触金属层(407)、金属层(408)和钝化介质层(409)；所述第二导电类型阱区(402)的剩余上表面和第二导电类型阱区(402)之间的上表面，从下到上依次覆盖栅介质层(404)、多晶硅栅介质层(405)、ILD介质层(406)、金属层(408)和钝化介质层(409)。。来源：百度搜索马克数据网