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一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置
摘要文本
本发明公开了一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，包括控制电路、充电电路、若干线圈及若干放电电路，其中，一个线圈对应一个放电电路，各个线圈均包括第一导线及第二导线，第一导线与第二导线紧贴缠绕在线圈骨架上，且第一导线与第二导线的缠绕方向相反，该装置能够减少驱动电路中的开关器件数量。 微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:西安交通大学
- 申请人地址:710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 发明人: 西安交通大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710433920.6 |
| 申请日 | 2017年6月9日 |
| 公告号 | CN107456656B |
| 公开日 | 2024年4月2日 |
| IPC主分类号 | A61N2/04 |
| 权利人 | 西安交通大学 |
| 发明人 | 李江涛; 曹辉; 赵政; 郑敏军; 蔡旭明; 孙义; 任子媛; 何家欣; 刘宇豪; 顾悦 |
| 地址 | 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
专利主权项内容
1.一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，包括控制电路、充电电路、若干线圈及若干放电电路，其中，一个线圈对应一个放电电路，各线圈均包括线圈骨架、第一导线(L11)及第二导线(L12)，第一导线(L11)及第二导线(L12)缠绕在线圈骨架上，且第一导线(L11)与第二导线(L12)的缠绕方向相反；充电电路经高压二极管(D1)与IGBT芯片(V1)的漏极相连接，IGBT芯片(V1)的源极与主电容(C1)的一端、第一放电晶闸管(SCR11)的阳极、第二放电晶闸管(SCR13)的阳极、第一续流晶闸管(SCR12)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阴极相连接，第一导线(L11)的一端与第一放电晶闸管(SCR11)的阴极及第一续流晶闸管(SCR12)的阳极相连接，第二导线(L12)的一端与第二放电晶闸管(SCR13)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阳极相连接，第一导线(L11)的另一端、第二导线(L12)的另一端及主电容(C1)的另一端均接地；控制电路的输出端与IGBT芯片(V1)的栅极、第一放电晶闸管(SCR11)的控制端、第二放电晶闸管(SCR13)的控制端、第一续流晶闸管(SCR12)的控制端及第二续流晶闸管(SCR14)的控制端相连接。