一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法
摘要文本
本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域，结构由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。通过在常规黄绿光LED结构中利用MOCVD设备增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用，提高了器件的可靠性、稳定性。
申请人信息
- 申请人:山东华光光电子股份有限公司
- 申请人地址:250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
- 发明人: 山东华光光电子股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201611031441.3 |
| 申请日 | 2016年11月22日 |
| 公告号 | CN108091742B |
| 公开日 | 2024年2月6日 |
| IPC主分类号 | H01L33/30 |
| 权利人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 发明人 | 李志虎; 张新; 于军; 王成新; 徐现刚 |
| 地址 | 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |
专利主权项内容
1.一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED的制造方法，其特征在于，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(AlGa)InP第一窗口层和P型GaP第二窗口层，包括以下步骤：x21-x2y21-y2(1)将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，H环境升温到800±20℃烘烤30分钟，并通入AsH, 去除所述衬底表面水氧完成表面热处理；23(2)将温度缓降到750±20℃，继续通入TMGa和AsH，在GaAs衬底上生长厚度在0.5-1um的GaAs低温缓冲层；降温时间为120s-150s；3(3)温度保持在750±20℃，继续通入TMGa、TMAl、和AsH，在步骤(2)的GaAs低温缓冲层上生长Bragg反射镜层，Bragg反射镜层为AlGaAs或AlAs；3(4)温度降至700±20℃，通入TMIn、TMAl、和PH，在步骤(3)生成的Bragg反射镜层上生长n型AlInP下限制层；3(5)保持温度在700±20℃，通入TMGa，在步骤(4)生成的AlInP下限制层上生长阱(AlGa)InP/垒(AlGa)InP(0≤x1，y1≤1)多量子阱发光区；x11-x1y11-y1x11-x1y11-y1(6)保持温度在700±20℃，在步骤(5)生成的多量子阱发光区上生长p型AlInP上限制层；(7)将温度拉升到750±20℃，在步骤(6)的AlInP上限制层上生长(AlGa)InP第一窗口层，其中0≤x2，y2≤1；x21-x2y21-y2(8)将温度拉升到800±20℃，在步骤(7)的第一窗口层上生长P型GaP第二窗口层；(9)在GaP第二窗口层的GaP材料表面蒸镀AuBeAu或Ti/Au金属薄膜，制作P面电极，然后将衬底材料减薄后蒸镀AuGe金属层制作背面电极，再将材料切割出一定尺寸的管芯产品，封装制作出成品LED器件。