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一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构
摘要文本
本发明提出一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，使其可以在全温度范围下工作。该高功率半导体激光器封装结构包括激光芯片、加热装置、第一导热衬底和第二导热衬底，分别与激光芯片的N面和P面键合，并在键合面形成电连接；所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件，位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。
申请人信息
- 申请人:西安炬光科技股份有限公司
- 申请人地址:710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园
- 发明人: 西安炬光科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710154533.9 |
| 申请日 | 2017年3月15日 |
| 公告号 | CN106898945B |
| 公开日 | 2024年2月20日 |
| IPC主分类号 | H01S5/024 |
| 权利人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 发明人 | 刘兴胜; 吴的海; 石钟恩 |
| 地址 | 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园 |
专利主权项内容
1.一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，包括激光芯片和加热装置，其特征在于：还包括第一导热衬底和第二导热衬底，分别与激光芯片的N面和P面键合，并在键合面形成电连接；所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件，位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘；所述其中一个导热衬底为绝缘导热衬底，直接与平面加热元件接触，另一个导热衬底为导电导热衬底；所述绝缘导热衬底采用DBC或者DPC结构，通过覆铜结构实现与激光芯片的电连接；所述其中一个导热衬底的外侧覆铜层有一部分区域与平面加热元件及正、负电极所覆盖区域绝缘隔离，该部分区域具有从平面加热元件到激光芯片方向贯通的导电通道，将外侧覆铜层与内侧覆铜层连通，使激光芯片与平面加热元件在同侧分别实现电连接。。 （更多数据，详见马克数据网）