一种场效应管驱动电路
摘要文本
本发明公开了一种场效应管驱动电路，包括由三极管Q1和三极管Q2组成的图腾柱结构，电阻R1和电阻R2；PWM发生器通过电阻R1连接到图腾柱结构的输入端，图腾柱结构的输出端连接到场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的源极接地，漏极通过变压器T1接母线电压VBUS，图腾柱结构上连接有外加电压信号VIN, 其特征在于，还包括第一分压电路、第二分压电路、过压保护电路和光电耦合管P1；该场效应管驱动电路具有以下优势：第一，没有采用成本较高的电压采样芯片以及MCU和DSP控制芯片进行栅极驱动保护。第二，不依赖程序检测，不依赖大量三极管所需的繁琐控制，降低保护失效的风险。第三，电路简单实用，通用性较强并兼顾了过压和欠压的双重保护。
申请人信息
- 申请人:天津瑞能电气有限公司
- 申请人地址:300385 天津市西青区经济开发区兴华七支路1号
- 发明人: 天津瑞能电气有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种场效应管驱动电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811546265.6 |
| 申请日 | 2018/12/18 |
| 公告号 | CN109361382B |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H03K17/081 |
| 权利人 | 天津瑞能电气有限公司 |
| 发明人 | 李则臣; 张全超 |
| 地址 | 天津市西青区经济开发区兴华七支路1号 |
专利主权项内容
1.一种场效应管驱动电路，包括由三极管Q1和三极管Q2组成的图腾柱结构，电阻R1和电阻R2；PWM发生器通过电阻R1连接到图腾柱结构的输入端，图腾柱结构的输出端连接到场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的源极接地，漏极通过变压器T1接母线电压VBUS，图腾柱结构上连接有外加电压信号VIN，其特征在于，还包括第一分压电路、第二分压电路、过压保护电路和光电耦合管P1；第一分压电路设置在外加电压信号VIN与GND之间，包括依次串联在一起的二极管D1、电阻R6和电阻R7；二极管D1的正极接外加电压信号VIN，负极接电阻R6，电阻R6和电阻R7之间的线路上形成有分压点A；第二分压电路设置在母线电压VBUS与GND之间，包括依次串联在一起的电阻R3、电阻R4和电阻R5，电阻R3的一端接母线电压VBUS，另一端接电阻R4，电阻R4和电阻R5之间的线路上形成有分压点B；过压保护电路包括稳压管ZD1、稳压管ZD2、稳压管ZD3和三极管Q4，三极管Q4的基极依次通过稳压管ZD3、稳压管ZD2和稳压管ZD1连接到电阻R6和电阻R7之间的线路上，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的集电极接场效应管Q3的栅极；光电耦合管P1包括发光二极管和光敏三极管；发光二极管的阳极连接到分压点B，发光二极管的阴极连接到分压点A，光敏三极管的集电极接PWM原始脉冲信号，光敏三极管的发射极接GND；所述的电阻R7的两端并联有电容C1；所述的电阻R5的两端并联有稳压管ZD4，稳压管ZD4的正极接地；所述电阻R5的阻值大小为1KΩ，所述电阻R6的阻值大小为2KΩ。。马-克-数据