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碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法
摘要文本
本发明提供了一种碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法，首先在基底上形成第一介质层，再形成暴露出第一电极的第一沟槽，再在第一沟槽中形成碳纳米管和第二电极，由于没有使用多层掩膜层及多步刻蚀工艺形成碳纳米管和第二电极，避免了碳纳米管的剥离和起泡的问题，提高了器件的稳定性和良率；并且，本发明提供的碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法步骤少，工艺简单、易于掌控，提高了制造器件的效率，同时也降低了制造成本。
申请人信息
- 申请人:中芯国际集成电路制造(天津)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址:300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号
- 发明人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810382821.4 |
| 申请日 | 2018/4/24 |
| 公告号 | CN110400872B |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H10N70/00 |
| 权利人 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 发明人 | 黄宇亮; 张静 |
| 地址 | 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号; 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号 |
专利主权项内容
1.一种碳纳米管存储结构的制造方法，其特征在于，所述碳纳米管存储结构的制造方法包括：提供基底，所述基底中形成有第一电极；在所述基底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁垂直且纵向贯穿所述第一介质层并暴露出所述第一电极；采用旋涂工艺旋涂碳纳米管溶液形成碳纳米管材料层，所述碳纳米管材料层覆盖所述第一介质层并填充所述第一沟槽；对所述碳纳米管材料层进行退火，去除所述碳纳米管材料层中的水汽，且所述碳纳米管溶液中包含的硅在退火后被氧化为氧化硅使得所述碳纳米管材料层的底部与所述基底粘附；去除所述第一介质层上的碳纳米管材料层及所述第一沟槽中部分厚度的碳纳米管材料层，所述第一沟槽中剩余的碳纳米管材料层构成碳纳米管；形成第二电极材料层，所述第二电极材料层覆盖所述第一介质层并填充所述第一沟槽的剩余部分，所述第二电极材料层同时覆盖所述碳纳米管；去除所述第一介质层上的第二电极材料层，所述第一沟槽中的第二电极材料层构成第二电极。。来源：马 克 团 队