← 返回列表
一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置
摘要文本
本发明公开了一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；在多层介质表面的银纳米线存在一种的本征模式，电场主要分布在银纳米线两侧，通过光纤锥，590nm激光的可以近场激发银纳米线的模式，在光的传输过程中，光会泄露到多层介质膜中，并以一定的角度辐射下去，在基片下面用高数值孔径油浸显微物镜收集信号并在远场成像，在远场可以分辨银纳米线两侧的泄露的光信号，由于银纳米线直径在100nm以下，小于整个成像系统的分辨率，该装置实现了对银纳米线两侧光场的宽场超分辨成像。 数据由马 克 数 据整理
申请人信息
- 申请人:中国科学技术大学
- 申请人地址:230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 发明人: 中国科学技术大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810767089.2 |
| 申请日 | 2018/7/13 |
| 公告号 | CN108873286B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | G02B21/00 |
| 权利人 | 中国科学技术大学 |
| 发明人 | 向益峰; 张斗国; 王茹雪; 王沛; 明海 |
| 地址 | 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |
专利主权项内容
1.一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；其中，银纳米线(3)分散在乙醇中，滴在多层介质膜(2)上，待乙醇挥发之后，用传输590nm激发的光纤锥(4)靠近银纳米线，激发银纳米线(3)的电场模式；所述的多层介质膜(2)由厚度88nm高折射率介质SiN层(5)和厚度105nm的低折射率介质SiO层(6)交替组成，顶层SiO层(7)为缺陷层，一共14层；3422所述的银纳米线(3)是直径为60nm的银纳米线，表面包覆有一层厚度为15nm的PVP保护层。