晶体管及其形成方法、半导体器件

专利主权项内容

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中具有一用于形成源区的第一区域和一用于形成漏区的第二区域；形成一栅极沟槽在所述衬底中，并利用所述栅极沟槽分隔所述第一区域和所述第二区域，所述衬底中沿着所述栅极沟槽底部的部分用于构成晶体管的内埋沟道区域；形成一栅极介质层在所述衬底的所述栅极沟槽上，以覆盖所述沟道区域，并延伸覆盖所述第一区域和所述第二区域在所述栅极沟槽内的侧面；其中，所述栅极介质层中覆盖所述沟道区域的部分构成第一层部，所述栅极介质层中覆盖所述第一区域和所述第二区域的部分构成第二层部，所述第二层部的平均厚度大于所述第一层部的平均厚度；以及，形成一栅极导电层在所述衬底的所述栅极介质层上并形成在所述栅极沟槽内，所述栅极导电层从所述栅极介质层的所述第一层部延伸至所述第二层部，以使所述栅极导电层分别与所述第一区域和所述第二区域均具有一交叠区域；其中，所述栅极介质层的所述第一层部具有第一厚度和第二厚度，所述第一层部在所述交叠区域和所述沟道区域的交界处具有所述第二厚度，并且从所述交叠区域和所述沟道区域的交界处至所述沟道区域的中心，所述第一层部由所述第二厚度缩减至所述第一厚度；以及，所述栅极导电层的顶部低于所述栅极沟槽的开口部，以形成一容置空间在所述栅极沟槽中并位于所述栅极导电层的上方，并填充一绝缘层在所述栅极沟槽的所述容置空间中，以覆盖所述栅极导电层。