组合掩膜版、半导体器件及其形成方法
摘要文本
本发明提供了一种组合掩膜版、半导体器件及其形成方法。第一掩膜版的第一线条和第二掩膜版的第二线条界定出内围阵列在由第三掩膜版的掩蔽图形所界定出的阵列区的区域范围内，并利用第三掩膜版的掩蔽图形和从内围阵列延伸出的第二线条进一步界定出边缘分格，如此即能够准确的界定出分格阵列，而不会额外界定出不希望界定出的分格。因此，在利用该组合掩膜版形成半导体器件时，相应的能够准确的制备出通孔阵列，而不会额外制备出不希望形成的孔。 数据由马 克 数 据整理
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 组合掩膜版、半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810361918.7 |
| 申请日 | 2018/4/20 |
| 公告号 | CN108519725B |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | G03F1/68 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 吴晗 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 |
专利主权项内容
1.一种组合掩膜版，其特征在于，用于在一阵列区中界定出分格阵列，所述组合掩膜版包括：第一掩膜版，形成有多条平行的第一线条，所述第一线条完全对应在所述阵列区中；第二掩膜版，形成有第二外围图形和多条平行的第二线条，所述第二外围图形围绕在所述阵列区的外周围上，所述第二线条对应贯穿所述阵列区并延伸至非阵列区中，所述第二掩膜版的所述第二线条用于和所述第一掩膜版的所述第一线条相交在所述阵列区中，以界定出所述分格阵列；以及，第三掩膜版，形成有掩蔽图形，所述掩蔽图形用于定义出所述阵列区，并用于掩蔽所述非阵列区；其中，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时，利用第三掩膜版的所述掩蔽图形定义出所述阵列区，所述第一掩膜版的所述第一线条和所述第二掩膜版的所述第二线条相交以围绕出多个第一分格在所述阵列区中，多个所述第一分格构成内围阵列；所述第二掩膜版的所述第二线条从所述内围阵列的边缘继续延伸至所述非阵列区中，并与所述第三掩膜版的所述掩蔽图形的边界相交，以利用所述第三掩膜版的所述掩蔽图形、所述第二掩膜版的所述第二线条和所述内围阵列的边界共同围绕出多个边缘分格在所述内围阵列的外周围上，由所述边缘分格和所述内围阵列的所述第一分格共同构成所述分格阵列，并且所述边缘分格的开口尺寸大于所述第一分格的开口尺寸。 来源：百度马 克 数据网