一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法

专利主权项内容

1.一种采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中设有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；形成漏极沉入凹槽于所述有源区中，并填充绝缘材料于所述漏极沉入凹槽中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；形成第一字线沟槽与第二字线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式字线在所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中，由所述衬底的顶面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽的底面皆相对较浅于所述隔离结构的底面并相对较深于所述漏极沉入凹槽底面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽皆穿过所述有源区，藉由所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽间隔，所述有源区包含第一源极区域、漏极区域与第二源极区域，所述漏极区域位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间；形成位线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式位线于所述位线沟槽中，所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽，且所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽的部分暴露出所述漏极区域顶面，形成位线绝缘保护层于所述埋入式位线顶面，所述埋入式位线的金属顶面及所述位线绝缘保护层低于所述衬底的顶面，所述衬底的顶面包含所述第一源极区域的上表面与所述第二源极区域的上表面，且所述衬底的顶面在同一有源区中且所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的区域是绝缘掩埋。