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掩模辅助图案设置方法及掩模版
摘要文本
本发明涉及一种掩模辅助图案设置方法及掩模版，提供光刻掩模图案，光刻掩模图案具有关键图案；将光刻掩模图案分为多个区块；确定关键图案在光刻掩模图案中所在的区块；将关键图案所在的区块对应的光刻掩模图案的边界，作为主要边界；将除主要边界之外的边界作为次要边界；设定光学临近修正的优先级，将主要边界设置为第一优先级，次要边界设置为第二优先级，其中，第一优先级高于第二优先级；根据优先级设置辅助图案，在邻近具有第一优先级的主要边界的区域中设置辅助图案的第一优先子图案。本发明能够保证在所有关键图案的周围均设置有辅助图案，提高了关键图案的工艺窗口，关键图案能够准确完整的转印到光刻胶上。
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 掩模辅助图案设置方法及掩模版 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810606834.5 |
| 申请日 | 2018/6/13 |
| 公告号 | CN110597011B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | G03F1/36 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 |
专利主权项内容
1.一种掩模辅助图案设置方法，其特征在于，包括：提供光刻掩模图案，所述光刻掩模图案具有关键图案，所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区；将所述光刻掩模图案划分为多个区块；确定所述关键图案所在的所述区块；将所述关键图案所在的所述区块对应的所述光刻掩模图案的边界作为主要边界，并将除所述主要边界之外的边界作为次要边界；设定光学临近修正的优先级，包括：所述主要边界设置为第一优先级以及所述次要边界设置为第二优先级，其中，所述第一优先级高于所述第二优先级；以及根据优先级设置辅助图案，包括：在邻近具有所述第一优先级的所述主要边界的区域中设置所述辅助图案的第一优先子图案，所述第一优先子图案用于优化所述关键图案和所述主要边界在光刻过程中的工艺窗口，在邻近具有所述第二优先级的所述次要边界的区域中设置所述辅助图案的第二优先子图案，其中所述第二优先子图案的设置不干扰所述第一优先子图案的设置。