电容器阵列结构及其制备方法

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1.一种电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，所述电容器阵列结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的底层支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层以及顶层支撑层，所述第一牺牲层的材料包含硼磷掺杂的氧化硅(BPSG)，所述第二牺牲层的材料包含氧化物，其中，所述第一牺牲层包含上层第一牺牲层和下层第一牺牲层，且下层第一牺牲层的磷离子掺杂浓度大于上层第一牺牲层的磷离子掺杂浓度；2)于所述叠层结构上形成图形化掩膜层，基于所述图形化掩膜层于所述叠层结构中刻蚀出多个电容孔；3)于所述电容孔的底部及侧壁形成下电极层，所述支撑层连接所述下电极层；4)去除所述牺牲层，其中，所述支撑层保留在所述半导体衬底上；5)对所述下电极层进行氮离子等离子体扩散工艺，所述氮离子扩散进入所述下电极层的内表面及外表面；6)于所述下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，其中，所述电容介质层覆盖所述下电极层，于所述电容介质层的外表面形成上电极层，其中所述上电极层覆盖所述电容介质层。 来自马克数据网